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MDP12N50TH

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDP12N50TH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MSAER12N50A

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

MSAFR12N50A

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

SIHA12N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA12N50E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Computing

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHA12N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHB12N50C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHB12N50C

PowerMOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C

PowerMOSFET

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IXFT12N50F

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢(xún)價(jià)
IXYS
20+
TO-247
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
6000
十年配單,只做原裝
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
8675
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單
 詢(xún)價(jià)
IXYS
25+
TO-247
12300
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢(xún)價(jià)
IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
60000
詢(xún)價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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 詢(xún)價(jià)
更多IXFT12N50F供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 9:03:00

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