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SIHP14N60E

ESeriesPowerMOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SIHP14N60E

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

STGF14N60D

14A-600V-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP14N60D

14A-600V-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：

    0.54

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：

    14

  • Gate Charge (nC)：

    25

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)：

    0.38

  • Configuration：

    Single

  • Package Type：

    TO-220

  • Power Dissipation (W)：

    327

  • Maximum Reverse Recovery (ns)：

    250

  • Sample Request：

    No

  • Check Stock：

    Yes

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXFP14N60P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 11:17:00

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