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IXFN520N075T2中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFN520N075T2
廠商型號

IXFN520N075T2

功能描述

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

文件大小

180.23 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 11:06:00

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IXFN520N075T2規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

特性 Features

? International Standard Package

? miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation

? 175°C Operating Temperature

? Isolation Voltage 2500 V~

? High Current Handling Capability

? Fast Intrinsic Diode

? Avalanche Rated

? Low RDS(on)

Applications

? DC-DC Converters and Off-Line UPS

? Primary-Side Switch

? High Speed Power Switching Applications

Advantages

? Easy to Mount

? Space Savings

? High Power Density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFN520N075T2

  • 功能描述:

    功率驅動器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    Micrel

  • 產(chǎn)品:

    MOSFET Gate Drivers

  • 類型:

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 電源電壓-最大:

    30 V

  • 電源電壓-最小:

    2.75 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-8

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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