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IXFN102N30P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IXFN102N30P |
| 功能描述 | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| 文件大小 |
97.32 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-13 18:31:00 |
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IXFN102N30P規(guī)格書詳情
PolarHV? HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
特性 Features
? International standard package
? Encapsulating epoxy meets UL 94 V-0, flammability classification
? miniBLOC with Aluminium nitride isolation
? Fast recovery diode
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IXFN102N30P
- 功能描述：
MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
場(chǎng)效應(yīng) |
1950+ |
980 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | |||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
18+ |
SOT227 |
12500 |
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配 |
詢價(jià) | ||
德國(guó)IXYS艾塞斯 |
23+ |
MOUDLE |
12000 |
原裝正品假一罰十支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
場(chǎng)效應(yīng) |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) | |||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
模塊 |
620 |
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
