IXFH6N120中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IXFH6N120規(guī)格書詳情
High Voltage HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
特性 Features
? International standard packages
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IXFH6N120
- 功能描述：
MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-247 |
89630 |
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS |
兩年內(nèi) |
NA |
2923 |
實單價格可談 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO-247 |
59620 |
原裝正品 華強現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
14+ |
TO-247 |
30188 |
進口管盒現(xiàn)貨/30 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
NA/ |
400 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價 | ||
IXYS |
13+;12+ |
TO-247 |
19 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價 | ||
IXYS |
21+ |
TO-247 |
1496 |
只做原裝,絕對現(xiàn)貨,原廠代理商渠道,歡迎電話微信查 |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
25+ |
TO-247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
