最新无码a∨在线观看,一本av高清一区二区三区,亚洲熟妇色l20p,宅男噜噜69av,中出あ人妻熟女中文字幕

首頁 >IXFA5N100P>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

IXFA5N100P

Polar Power MOSFET HiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFH5N100

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH5N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH5N100P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFH5N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFM5N100

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFP5N100

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP5N100P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFP5N100PM

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTH5N100

StandardPowerMOSFET

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFA5N100P

  • 功能描述：

    MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
56230
原裝正品 華強現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
23+
TO-263-3
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
1809+
TO-263
375
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
IXYS
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-263
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
原裝正品
23+
TO-263
60596
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術
 詢價
更多IXFA5N100P供應商 更新時間2025-7-23 8:31:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多