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IXDN75N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IXDN75N120 |
| 參數(shù)屬性 | IXDN75N120 封裝/外殼為SOT-227-4，miniBLOC；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B |
| 功能描述 | High Voltage IGBT |
| 封裝外殼 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 文件大小 |
73.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS |
| 中文名稱 | 艾賽斯 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-21 18:49:00 |
| 人工找貨 | IXDN75N120價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IXDN75N120規(guī)格書詳情
IXDN75N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由艾賽斯制造生產(chǎn)的IXDN75N120晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXDN75N120
- 制造商：
IXYS
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 配置：
單路
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，75A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-227B
- 描述：
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
MODULE |
55436 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
模塊 |
800 |
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
德國(guó)IXYS艾塞斯 |
23+ |
MOUDLE |
12000 |
原裝正品假一罰十支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
24+ |
220 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | |||
IXYS |
2020 |
NA |
100 |
全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫存熱賣中! |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價(jià) |
