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IXDH30N120D1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXDH30N120D1
廠商型號

IXDH30N120D1

參數(shù)屬性

IXDH30N120D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

功能描述

High Voltage IGBT with optional Diode
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

89.51 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
IXYS
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 11:10:00

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IXDH30N120D1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IXDH30N120D1規(guī)格書詳情

IXDH30N120D1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDH30N120D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXDH30N120D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    4.6mJ(開),3.4mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 測試條件:

    600V,30A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS/艾賽斯
23+
TO-247
10000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
IXYS/艾賽斯
2447
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IXYS(艾賽斯)
23+
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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TO247AD (IXDH)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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24+
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IXYS
24+
TO-247
5000
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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TO-247AD(IXDH)
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IXYS/艾賽斯
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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IXYS
24+
原廠封裝
1700
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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