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IXDH20N120D1數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號(hào)

IXDH20N120D1

參數(shù)屬性

IXDH20N120D1 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

功能描述

NPT 標(biāo)準(zhǔn) IGBT

封裝外殼

TO-247-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名稱

力特 力特公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-8 20:00:00

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IXDH20N120D1規(guī)格書詳情

特性 Features

? NPT IGBT技術(shù)
? 低飽和電壓
? 低開關(guān)損耗
? 方形RBSOA,無閂鎖
? 卓越防短路性能
? 正溫度系數(shù),適合并聯(lián)
? MOS輸入,電壓控制
? 選配超快二極管
? 國際標(biāo)準(zhǔn)包裝

應(yīng)用 Application

? 交流電機(jī)轉(zhuǎn)速控制
? 直流伺服驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人驅(qū)動(dòng)器
? 直流斬波器
? 不間斷電源(UPS)
? 開關(guān)模式和諧振模式電源

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :IXDH20N120D1

  • 生產(chǎn)廠家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :38

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :3

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :70

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :TO-247AD

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.63

  • Collector Current @ 90 ℃ (A)

    :25

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)

    :2.4

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :1.6

  • Forward Current @ 90 ℃ (A)

    :19

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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