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IXBT42N170數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

IXBT42N170

參數(shù)屬性

IXBT42N170 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1700V 80A 360W TO268

功能描述

BiMOSFET? 高電壓

封裝外殼

TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名稱

力特 力特公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-18 10:19:00

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IXBT42N170規(guī)格書詳情

特性 Features

? 高阻斷電壓
? 高功率密度
? 高電流處理能力
? 低傳導(dǎo)損耗
? MOS柵極開啟簡單便捷
? 國際標(biāo)準(zhǔn)和專有ISOPLUSTM封裝

應(yīng)用 Application

? 雷達(dá)傳感器電源
? 雷達(dá)脈沖調(diào)制器
? 電容放電電路
? 高壓電源
? AC開關(guān)
? HV斷路器
? 脈沖電路
? 高壓測試設(shè)備
? 激光和X射線發(fā)生器

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :IXBT42N170

  • 生產(chǎn)廠家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :80

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.8

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :TO-268S

  • Fall Time [Resistive Load](ns)

    :740

  • Thermal resistance [junction-case](K/W)

    :0.35

  • Collector Current @ 90 ℃ (A)

    :42

  • Driving Voltages (V)

    :15

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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