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LR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：785.8 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
LU024	文件：960.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PowerSupply -SecondarySynchronousRectification ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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