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STG8209	文件：628.23 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC8209	文件：312.48 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=30m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
TPC8209	文件：1.02571 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?SetTopBox ?LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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