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ISPD06N80C3中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISPD06N80C3
廠商型號(hào)

ISPD06N80C3

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

DPAK

封裝外殼

TO-252

文件大小

336.34 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-19 11:10:00

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ISPD06N80C3規(guī)格書詳情

? DESCRITION

? High peak current capability

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.9?

? Enhancement mode:

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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