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ISL9V3040D3STV分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

ISL9V3040D3STV
廠商型號

ISL9V3040D3STV

參數(shù)屬性

ISL9V3040D3STV 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:ECOSPARK1 IGN IGBT TO252

功能描述

ECOSPARK Ignition IGBT 300 mJ, 400 V, N-Channel Ignition IGBT
ECOSPARK1 IGN IGBT TO252

絲印標識

ISL9V3040G1

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

718.26 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-10 23:01:00

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ISL9V3040D3STV規(guī)格書詳情

ISL9V3040D3STV屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的ISL9V3040D3STV晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

? SCIS Energy = 300 mJ at TJ = 25°C

? Logic Level Gate Drive

? This Device is Pb?Free and is RoHS Compliant

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

Applications

? Automotive Ignition Coil Driver Circuits

? High Current Ignition System

? Coil on Plug Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    ISL9V3040D3STV

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.65V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    700ns/4.8μs

  • 測試條件:

    300V,6.5A,470 歐姆,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    ECOSPARK1 IGN IGBT TO252

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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