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ISL73847MEV1Z中文資料瑞薩數據手冊PDF規(guī)格書

ISL73847MEV1Z
廠商型號

ISL73847MEV1Z

功能描述

Radiation Tolerant 12V Half-Bridge GaN FET Driver

文件大小

2.42734 Mbytes

頁面數量

44

生產廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-7 15:21:00

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ISL73847MEV1Z規(guī)格書詳情

特性 Features

? Qualified to Renesas Rad Tolerant Screening and

QCI Flow (R34TB0004EU)

? Up to 20V bootstrap voltage half-bridge driver

? Programmable 4.5V to 5.5V gate drive voltage

? Single tri-level PWM input control

? Separate source and sink driver outputs

? High-side peak drive: 2A Sourcing, 4A Sinking

? Low-side peak drive: 4A Sourcing, 8A Sinking

? High and low side programmable dead time control

? Highly matched fast propagation delay: 29ns

? Full military temperature operation TA = -55°C to

125°C ambient range

? 20Ld Plastic 5×5mm QFN Package

? NiPdAu-Ag Lead finish (Sn-free, Pb-free)

? Passes NASA Low Outgassing Specifications

? TID Radiation Lot Acceptance Testing

(LDR: ≤ 10mrad(Si)/s)

? ISL71441M30RZ: 30krad(Si)

? ISL71441M50RZ: 50krad(Si)

? SEE Characterization

? No DSEE with VDD = 20V, AVCC/PVCC = 6.3V,

and PVIN = 16.5V at LET 46MeV·cm2/mg

? SEFI <10μm2 at 46MeV·cm2/mg

? No Half-Bridge Shoot-Through SET at LET

46MeV·cm2/mg

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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