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ISL73033SLHEV1Z中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISL73033SLHEV1Z
廠商型號

ISL73033SLHEV1Z

功能描述

Radiation Hardened Driver-GaN Power Stage with 100V GaN FET

文件大小

477.15 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-10 11:10:00

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ISL73033SLHEV1Z規(guī)格書詳情

特性 Features

? Production testing and qualification follow the

standard AS6294/1

? 100V, 7.5mΩ eGaN FET with integrated 4.5V gate

driver

? Wide driver bias range of 4.5V to 13.2V

? Up to 16.5V logic inputs (regardless of VDD level)

? Inverting and non-inverting inputs

? Integrated driver optimized for enhancement-mode

GaN FETs

? Internal 4.5V regulated gate drive voltage

? Full military temperature range operation

? TA = -55°C to +125°C

? TJ = -55°C to +150°C

? Radiation hardness assurance (lot-by-lot)

? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

? SEE hardness for Driver (see the SEE test report)

? No SEB/L LETTH, VDD = 16.5V: 86MeV?cm2/mg

? No SET, LETTH, VDD = 13.2V: 86MeV?cm2/mg

? SEE hardness for GaN FET (see the SEE test

report)

? No SEB/L LETTH, VDS = 100V: 86MeV?cm2/mg

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INTERSIL
23+
20
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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只做原裝正品
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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