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ISL73024SEHMX中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
ISL73024SEHMX |
| 功能描述 | 200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor |
| 文件大小 |
477.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | RENESAS |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 9:40:00 |
| 人工找貨 | ISL73024SEHMX價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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ISL73024SEHMX規(guī)格書詳情
特性 Features
? Very low rDS(ON) 45mΩ (typical)
? Ultra low total gate charge 2.5nC (typical)
? SEE hardness (see SEE report for details)
? SEL/SEB LETTH (VDS = 160V, VGS = 0V):
86MeV?cm2/mg(Si)
? ISL70024SEH radiation acceptance (see TID
report)
? High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)
? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
? ISL73024SEH radiation acceptance (see TID
report)
? Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)
? Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount
Device (SMD) package
? Package area: 42mm2
? Full military-temperature range operation
? TA = -55°C to +125°C
? TJ = -55°C to +150°C
? Qualified to Renesas Rad Hard GaN FET
Screening and QCI Flow (R34TB0003EU)
? All screening and QCI is in accordance with
MIL-PRF-38535L Class-V
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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