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MCH6613

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

MCH6613

PowerMOSFET

Features ?TheMCH6613incorporatestwoelementsinthesamepackagewhichareN-channelandP-channellowONresistanceandhigh-speedswitchingMOSFETs,therebyenablinghigh-densitymounting ?ExcellentON-resistancecharacteristic ?1.5Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MCH6613-TL-E

PowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

PM6613N

2to4-cellLi-Ion,Li-FePO4batterychargerwithSMBusinterface,N-channelRBFETandBATFETMOSFETselectors

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

PM6613NTR

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

PT6613

9AMP5VSTEP-DOWNINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6613

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

PT6613L

SingleDevice9AOutput

TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

SSB-DL6613UWC

66mmx13mmLCDBACKLIGHT,DUALSIDED,WHITECHIPS,CLEARLENSWITHMILKYWHITEDIFFUSER

Lumex

LUMEX INC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ISL6613ECBZ-T

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10.8V ~ 13.2V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時間（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ISL6613ECBZ-T供應(yīng)商 更新時間2025-7-20 14:00:00

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