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R6504KNJ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=4.0A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage-:VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.05Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariatio

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多ISL6504CRZ-T供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 11:01:00