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MBR12020CT

SiliconPowerSchottkyDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom20Vto40VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12020CT

SiliconPowerSchottkyDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12020CTR

SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A

Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

MBR12020CTR

SiliconPowerSchottkyDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom20Vto40VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12020CTR

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MBR12020CTR

SiliconPowerSchottkyDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12020R

SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A

Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM

TELTokyo Electron Ltd.

東電電子東京電子有限公司

MBRF12020

HighSurgeCapability

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBRF12020

SiliconPowerSchottkyDiode

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MBRH12020

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ISL12020MIRZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 實時時鐘

  • 包裝:

    管件

  • 類型:

    時鐘/日歷

  • 特性:

    警報器,夏令時,閏年,SRAM

  • 存儲容量:

    128B

  • 時間格式:

    HH:MM:SS(12/24 小時)

  • 日期格式:

    YY-MM-DD-dd

  • 接口:

    I2C,2 線串口

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 5.5V

  • 電壓 - 供電,電池:

    1.8V ~ 5.5V

  • 電流 - 計時(最大值):

    14μA ~ 15μA @ 3V ~ 5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    20-PowerLFDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    20-DFN(5.5x4.0)

  • 描述:

    IC RTC CLK/CALENDAR I2C 20-DFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ISL12020MIRZ-T供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:14:00