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ISG0613N04NM6H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISG0613N04NM6H
廠商型號

ISG0613N04NM6H

功能描述

MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

絲印標(biāo)識

613N04N6H

封裝外殼

PG-VITFN-10

文件大小

1.05246 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 20:01:00

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ISG0613N04NM6H規(guī)格書詳情

特性 Features

? Symmetrical Half Bridge

? Optimized for low voltage drives and battery powered applications

? Optimized for high performance SMPS

? N-channel

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100% avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

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