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ISB3069P

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=100(Min)@(VCE=-2V,IC=-3A) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max)@(IC=-8A,IB=-0.4A) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation A

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

K3069

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=6m?typ. ?Lowdrivecurrent ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

QPA3069

2.7??3.5GHz100WGaNPowerAmplifier

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

QPA3069EVB

2.7??3.5GHz100WGaNPowerAmplifier

QORVOQorvo, Inc

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

ISB-TS45H

森霸
TO-46

森霸

相關(guān)企業(yè)：深圳市賽爾通科技有限公司

森霸

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多ISB3069P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 8:58:00

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