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IS63LV1024L-12B集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS63LV1024L-12B
廠商型號(hào)

IS63LV1024L-12B

參數(shù)屬性

IS63LV1024L-12B 封裝/外殼為36-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

功能描述

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

封裝外殼

36-TFBGA

文件大小

45.6 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

北京矽成

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-9 11:10:00

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IS63LV1024L-12B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access times: 8, 10, 12 ns

? High-performance, low-power CMOS process

? Multiple center power and ground pins for greater noise immunity

? Easy memory expansion with CE and OE options

? CEpower-down

? Fully static operation: no clock or refresh required

? TTL compatible inputs and outputs

? Single 3.3V power supply

? Packages available:

– 32-pin 300-mil SOJ

– 32-pin 400-mil SOJ

– 32-pin TSOP (Type II)

– 32-pin STSOP (Type I)

– 36-pin BGA (8mmx10mm)

? Lead-free Available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS63LV1024L-12BI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-迷你型BGA(8x10)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ISSI
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