IS62WV6416BLL集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào)	IS62WV6416BLL
參數(shù)屬性	IS62WV6416BLL 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA
功能描述	64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
封裝外殼	48-TFBGA
文件大小	111.93 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	17 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	ISSI
中文名稱	北京矽成
網(wǎng)址	網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二
更新時(shí)間	2025-8-10 20:44:00
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IS62WV6416BLL規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 45ns, 55ns

? CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply

1.7V--2.2V VDD (62WV6416ALL)

2.5V--3.6V VDD (62WV6416BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? 2CS Option Available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
IS62WV6416BLL-55BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲(chǔ)容量：
1Mb（64K x 16）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
55ns
電壓 - 供電：
2.5V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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