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IS62WV51216BLL-55TLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS62WV51216BLL-55TLI |
| 參數(shù)屬性 | IS62WV51216BLL-55TLI 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
129.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱 | 北京矽成 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-14 14:28:00 |
| 人工找貨 | IS62WV51216BLL-55TLI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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IS62WV51216BLL-55TLI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
TheISSIIS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.
FEATURES
? High-speed access time: 45ns, 55ns
? CMOS low power operation
– 36 mW (typical) operating
– 12 μW (typical) CMOS standby
? TTL compatible interface levels
? Single power supply
– 1.65V--2.2V VDD (62WV51216ALL)
– 2.5V--3.6V VDD (62WV51216BLL)
? Fully static operation: no clock or refresh required
? Three state outputs
? Data control for upper and lower bytes
? Industrial temperature available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS62WV51216BLL-55TLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲容量：
8Mb（512K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
55ns
- 電壓 - 供電：
2.5V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
23+24 |
TSOP |
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