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IS62VV25616LL-70M中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS62VV25616LL-70M
廠商型號

IS62VV25616LL-70M

功能描述

256K x 16 LOW VOLTAGE, 1.8V ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件大小

56.19 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

北京矽成

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 18:17:00

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IS62VV25616LL-70M規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62VV25616L and IS62VV25616LL are high-speed, 4,194,304 bit static RAMs organized as 262,144 words by 16 bits. They are fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 70, 85, 100 ns

? CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single 1.65V-1.95V VCC power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? Available in the 44-pin TSOP (Type II) and 48-pin mini BGA (7.2mm x 8.7mm)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS62VV25616LL-70M

  • 功能描述:

    x16 SRAM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ISSI
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BGA
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