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IS61WV5128EDBLL-10BLI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS61WV5128EDBLL-10BLI
廠商型號(hào)

IS61WV5128EDBLL-10BLI
參數(shù)屬性

IS61WV5128EDBLL-10BLI 封裝/外殼為36-TFBGA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
功能描述

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
封裝外殼

36-TFBGA
文件大小

446.55 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
ISSI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-8-3 18:22:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61WV5128EDBLL-10BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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