首頁>IS61NLP51218A-200TQLI>規(guī)格書詳情
IS61NLP51218A-200TQLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61NLP51218A-200TQLI |
| 參數(shù)屬性 | IS61NLP51218A-200TQLI 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
261.57 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
37 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱 | 北京矽成 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-8 23:00:00 |
| 人工找貨 | IS61NLP51218A-200TQLI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書
更多- IS61NLP25636A-250TQ
- IS61NLP51218A-200B3
- IS61NLP25672-250B1I
- IS61NLP25636A-250B2I
- IS61NLP51218A-200B3I
- IS61NLP25636A-250B3
- IS61NLP51218A-200TQ
- IS61NLP25636A-200B2I
- IS61NLP25672
- IS61NLP25672-200B1
- IS61NLP25636A-200TQI
- IS61NLP25636A-200B3I
- IS61NLP25636A-200B3
- IS61NLP25672-200B1I
- IS61NLP51218A-200B2I
- IS61NLP51218A
- IS61NLP25636A-250B2
- IS61NLP25636A-200TQ
IS61NLP51218A-200TQLI規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabricated with ISSIs advanced CMOS technology.
FEATURES
? 100 percent bus utilization
? No wait cycles between Read and Write
? Internal self-timed write cycle
? Individual Byte Write Control
? Single R/W (Read/Write) control pin
? Clock controlled, registered address, data and control
? Interleaved or linear burst sequence control using MODE input
? Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining
? Power Down mode
? Common data inputs and data outputs
? CKE pin to enable clock and suspend operation
? JEDEC 100-pin TQFP, 165-ball PBGA and 119- ball PBGA packages
? Power supply:
NVP: VDD 2.5V (± 5), VDDQ 2.5V (± 5)
NLP: VDD 3.3V (± 5), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5)
? JTAG Boundary Scan for PBGA packages
? Industrial temperature available
? Lead-free available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS61NLP51218A-200TQLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
9Mb（512K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-LQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美國芯成) |
24+ |
LQFP100(14x20) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
ISSI |
21+ |
100-LQFP |
282 |
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
ISSI |
1950+ |
100-LQFP |
6852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
100-TQFP14x20 |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ISSI |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
ISSI |
23+ |
100-TQFP(14x20) |
24840 |
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票! |
詢價 | |||
ISSI |
25+ |
TQFP-100 |
16000 |
原裝優(yōu)勢絕對有貨 |
詢價 | ||
ISSI |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持 |
詢價 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solut |
24+ |
100-TQFP(14x20) |
56200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 |
