IS61LV12816L集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	IS61LV12816L
參數(shù)屬性	IS61LV12816L 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA
功能描述	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
封裝外殼	48-TFBGA
文件大小	112.45 Kbytes
頁面數(shù)量	16 頁
生產(chǎn)廠商	ISSI
中文名稱	北京矽成
網(wǎng)址	網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時間	2025-8-11 17:34:00
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IS61LV12816L規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 8, 10 ns

? Operating Current: 50mA (typ.)

? Stand by Current: 700μA (typ.)

? TTL and CMOS compatible interface levels

? Single 3.3V power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS61LV12816L-10BI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
2Mb（128K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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