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IS61LF51218A-7.5TQLI-TR

Package：100-LQFP；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LF51218A-7.5TQ

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications. FEATURES ? Internal self-timed write cycle ? Individual Byte Write Contr

文件：206.94 Kbytes 頁數(shù)：32 Pages

ISSI

矽成半導(dǎo)體

IS61LF51218A-7.5TQI

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications. FEATURES ? Internal self-timed write cycle ? Individual Byte Write Contr

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ISSI

矽成半導(dǎo)體

IS61LF51218A-7.5TQLI

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications. FEATURES ? Internal self-timed write cycle ? Individual Byte Write Contr

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ISSI

矽成半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LF51218A-7.5TQLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-LQFP（14x20）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
23+
100-TQFP(14x20)
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更多IS61LF51218A-7.5TQLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-9-21 10:51:00

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