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IS61LF25636A-7.5TQ集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS61LF25636A-7.5TQ |
| 參數(shù)屬性 | IS61LF25636A-7.5TQ 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
206.94 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
32 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 17:46:00 |
| 人工找貨 | IS61LF25636A-7.5TQ價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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IS61LF25636A-7.5TQ規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications.
FEATURES
? Internal self-timed write cycle
? Individual Byte Write Control and Global Write
? Clock controlled, registered address, data and control
? Burst sequence control using MODE input
? Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining
? Common data inputs and data outputs
? Auto Power-down during deselect
? Single cycle deselect
? Snooze MODE for reduced-power standby
? JTAG Boundary Scan for PBGA package
? Power Supply
LF: Vdd 3.3V + 5, Vddq 3.3V/2.5V + 5
VF: Vdd 2.5V + 5, Vddq 2.5V + 5
? JEDEC 100-Pin TQFP, 119-pin PBGA, and 165-pin PBGA packages
? Lead-free available
? Automotive temperature available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS61LF25636A-7.5TQI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-LQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GENNUM |
24+ |
TQFP(100) |
12000 |
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20+ |
TQFP100 |
500 |
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2023+ |
100-TQFP |
50000 |
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