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IS61DDB44M18-300M3L中文資料矽成半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IS61DDB44M18-300M3L
功能描述

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs
文件大小

669.17 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

26 頁(yè)
生產(chǎn)廠商

ISSI
中文名稱

矽成半導(dǎo)體
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-9-23 16:30:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IS61DDB44M18-300M3L

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M(2Mx18) 300MHz Commercial Temp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲(chǔ)容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問(wèn)時(shí)間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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