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IS61C67-L25N中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS61C67-L25N
廠商型號

IS61C67-L25N

功能描述

16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

文件大小

346.83 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
ISSI
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-4 13:30:00

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IS61C67-L25N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS61C67 is a high speed, low power, 16384-word bgy 1-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSIs high performance CMOS double metal technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 15ns maximum.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS61C67-L25N

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全稱:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
165LFBGA (13x15)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
ISSI,
25+
25000
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ISSI(美國芯成)
2021+
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