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IS61C6416集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

IS61C6416

參數(shù)屬性

IS61C6416 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

封裝外殼

44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

487.16 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

矽成半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-9-23 19:00:00

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IS61C6416規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS61C6416 is a high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 10 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 10, 12, 15, and 20 ns

? CMOS low power operation

— 1650 mW (max) @ -10ns Cycle

— 55 μW (max) CMOS Standby

? TTL compatible interface levels

? Single 5V ± 10 power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Industrial temperature available

? Available in 44-pin SOJ package and 44-pin TSOP (Type II)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61C6416AL-12KI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
24+
TSSOP
20000
全新原廠原裝,進口正品現(xiàn)貨,正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
詢價
ISSI
23+
TSSOP44
9231
詢價
ISSI
25+
QFN
18000
原廠直接發(fā)貨進口原裝
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23+
原廠封裝
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