首頁(yè)>IS43TR16256AL-15HBLI>規(guī)格書(shū)詳情
IS43TR16256AL-15HBLI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS43TR16256AL-15HBLI |
| 參數(shù)屬性 | IS43TR16256AL-15HBLI 封裝/外殼為96-TFBGA；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA |
| 功能描述 | 512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM |
| 封裝外殼 | 96-TFBGA |
| 文件大小 |
3.94166 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
88 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱(chēng) | 矽成半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-22 22:30:00 |
| 人工找貨 | IS43TR16256AL-15HBLI價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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IS43TR16256AL-15HBLI規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- Backward compatible to 1.5V
● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz
● 8 internal banks for concurrent operation
● 8n-Bit pre-fetch architecture
● Programmable CAS Latency
● Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
● Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
● Programmable Burst Length: 4 and 8
● Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
● BL switch on the fly
● Auto Self Refresh(ASR)
● Self Refresh Temperature(SRT)
● Refresh Interval:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C
● Partial Array Self Refresh
● Asynchronous RESET pin
● TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● Dynamic ODT (On-Die Termination)
● Driver strength : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Write Leveling
● Up to 200 MHz in DLL off mode
● Operating temperature:
Commercial (TC = 0°C to +95°C)
Industrial (TC = -40°C to +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C to +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C to +105°C)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS43TR16256AL-15HBLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - DDR3L
- 存儲(chǔ)容量：
4Gb（256M x 16）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
15ns
- 電壓 - 供電：
1.283V ~ 1.45V
- 工作溫度：
-40°C ~ 95°C（TC）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
96-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
96-TWBGA（9x13）
- 描述：
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
BGA |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
1430+ |
BGA |
29 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
23+ |
FBGA |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
96TWBGA (9x13) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
24+ |
BGA96 |
12000 |
專(zhuān)營(yíng)ISSI進(jìn)口原裝正品假一賠十可開(kāi)17增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
2023+ |
96TWBGA |
4749 |
安羅世紀(jì)電子只做原裝正品貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
24+ |
FBGA |
13500 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開(kāi)票! |
詢(xún)價(jià) | |||
ISSI |
23+ |
BGA |
3000 |
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢(xún)價(jià) | ||
ISSI |
25+ |
FBGA-96 |
16000 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢(xún)價(jià) |
