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IS43DR16128B-25EBL

Package:84-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

ETC

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IS43DR16128B-25EBLI-TR

Package:84-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16128B-25EBL-TR

Package:84-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS43DR16128B-25EBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    2Gb(128M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    84-TW-BGA(10.5x13.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IS43DR16128B-25EBL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 17:06:00