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首頁(yè)>IS42VM32160E-75BLI>規(guī)格書(shū)詳情

IS42VM32160E-75BLI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS42VM32160E-75BLI
廠商型號(hào)

IS42VM32160E-75BLI

參數(shù)屬性

IS42VM32160E-75BLI 封裝/外殼為90-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

功能描述

4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

封裝外殼

90-TFBGA

文件大小

885.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

33 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISSI北京矽成

中文名稱(chēng)

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
ISSI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-4 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS42VM32160E-75BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - 移動(dòng)

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(16M x 32)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
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