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IS42VM32100D-6BLI

512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42VM32100D-6BLI

Package：90-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32100D-6BLI-TR

Package：90-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS42VM32100D-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動

  • 存儲容量：

    32Mb（1M x 32）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IS42VM32100D-6BLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:01:00

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