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IS42S83200J集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IS42S83200J |
參數(shù)屬性 | IS42S83200J 封裝/外殼為54-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
功能描述 | 256Mb SYNCHRONOUS DRAM |
封裝外殼 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) |
文件大小 |
1.23822 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
63 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ISSI |
中文名稱 | 北京矽成 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 17:48:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS42S83200J-6TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM
- 存儲(chǔ)容量:
256Mb(32M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
54-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
54-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
25+ |
電聯(lián)咨詢 |
7800 |
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ISSI |
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ISSI |
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