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IS42S32400E集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IS42S32400E

參數(shù)屬性

IS42S32400E 封裝/外殼為90-TFBGA;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

功能描述

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

封裝外殼

90-TFBGA

文件大小

895.21 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

60 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱(chēng)

矽成半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-22 16:13:00

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IS42S32400E規(guī)格書(shū)詳情

OVERVIEW

ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.

FEATURES

? Clock frequency: 166, 143, 133 MHz

? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

? Internal bank for hiding row access/precharge

? Single Power supply: 3.3V + 0.3V

? LVTTL interface

? Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)

? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

? Auto Refresh (CBR)

? Self Refresh

? 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)

? Random column address every clock cycle

? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

? Burst read/write and burst read/single write operations capability

? Burst termination by burst stop and precharge command

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS42S32400E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    128Mb(4M x 32)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI
24+
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詢(xún)價(jià)
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