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IS42S32400E-6BLI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IS42S32400E-6BLI |
| 參數(shù)屬性 | IS42S32400E-6BLI 封裝/外殼為90-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
| 功能描述 | 4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
| 封裝外殼 | 90-TFBGA |
| 文件大小 |
895.21 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
60 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-3 20:00:00 |
| 人工找貨 | IS42S32400E-6BLI價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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OVERVIEW
ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.
FEATURES
? Clock frequency: 166, 143, 133 MHz
? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge
? Internal bank for hiding row access/precharge
? Single Power supply: 3.3V + 0.3V
? LVTTL interface
? Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)
? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
? Auto Refresh (CBR)
? Self Refresh
? 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)
? Random column address every clock cycle
? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
? Burst read/write and burst read/single write operations capability
? Burst termination by burst stop and precharge command
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IS42S32400E-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM
- 存儲(chǔ)容量：
128Mb（4M x 32）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
90-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISIS |
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