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IS42S32400B-6T集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

PDF無圖
廠商型號

IS42S32400B-6T

參數(shù)屬性

IS42S32400B-6T 封裝/外殼為86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

功能描述

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

封裝外殼

86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

624.32 Kbytes

頁面數(shù)量

60

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

矽成半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-22 20:00:00

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IS42S32400B-6T規(guī)格書詳情

OVERVIEW

ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.

FEATURES

? Clock frequency: 166, 143, 125, 100 MHz

? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

? Internal bank for hiding row access/precharge

? Power supply

VDD VDDQ

IS42S32400B 3.3V 3.3V

? LVTTL interface

? Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)

? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

? Auto Refresh (CBR)

? Self Refresh with programmable refresh periods

? 4096 refresh cycles every 64 ms

? Random column address every clock cycle

? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

? Burst read/write and burst read/single write operations capability

? Burst termination by burst stop and precharge command

? Available in Industrial Temperature

? Available in 86-pin TSOP-II and 90-ball FBGA

? Available in Lead-free

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S32400B-6T

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    128Mb(4M x 32)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    86-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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