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IS42S16800D-7B集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

IS42S16800D-7B

參數(shù)屬性

IS42S16800D-7B 封裝/外殼為54-VFBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA

功能描述

16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

封裝外殼

54-VFBGA

文件大小

567 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

62 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

矽成半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-22 13:02:00

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IS42S16800D-7B規(guī)格書(shū)詳情

OVERVIEW

ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized as follows.

FEATURES

? Clock frequency: 166, 143, 133 MHz

? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge

? Internal bank for hiding row access/precharge

? Power supply

VDD VDDQ

IS42S81600D 3.3V 3.3V

IS42S16800D 3.3V 3.3V

? LVTTL interface

? Programmable burst length

– (1, 2, 4, 8, full page)

? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave

? Auto Refresh (CBR)

? Self Refresh with programmable refresh periods

? 4096 refresh cycles every 64 ms

? Random column address every clock cycle

? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

? Burst read/write and burst read/single write operations capability

? Burst termination by burst stop and precharge command

? Industrial Temperature Availability

? Lead-free Availability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS42S16800D-7B

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-迷你型BGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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