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IS42S16400F-6BLI

1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400F-6BLI

Package:54-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400F-6BLI-TR

Package:54-TFBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400F-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400F-6TL

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400F-6TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16400F-6TLI

1MegBitsx16Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS42S16400F-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM

  • 存儲容量:

    64Mb(4M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    54-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    54-TFBGA(8x8)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI(美國芯成)
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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正品渠道現(xiàn)貨,終端可提供BOM表配單。
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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更多IS42S16400F-6BLI供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 16:16:00