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IS41LV8200-50J中文資料矽成半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
IS41LV8200-50J |
| 功能描述 | 2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 文件大小 |
159.03 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
18 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ISSI |
| 中文名稱 | 矽成半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找貨 | IS41LV8200-50J價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IS41LV8200-50J規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
TheISSI IS41C8200 and IS41LV8200 are 2,097,152 x 8-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. These devices offer an accelarated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 4-bit word.
FEATURES
? Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle
? TTL compatible inputs and outputs
? Refresh Interval: -- 2,048 cycles/32 ms
? Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
? Single power supply: 5V±10 or 3.3V ± 10
? Byte Write and Byte Read operation via two CAS
? Industrial temperature range -40°C to 85°C
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IS41LV8200-50J
- 制造商：
ISSI
- 制造商全稱：
Integrated Silicon Solution, Inc
- 功能描述：
2M x 8(16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI |
24+ |
NA/ |
103 |
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ISSI |
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