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IS41LV16256-60KI中文資料矽成半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

IS41LV16256-60KI

功能描述

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

153.38 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商

ISSI

中文名稱

矽成半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-23 22:59:00

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IS41LV16256-60KI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

TheISSI IS41C16256 and IS41LV16256 are 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 and IS41LV16256 ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval: 512 cycles/8 ms

? Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply

5V ± 10 (IS41C16256)

3.3V ± 10 (IS41LV16256)

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Extended Temperature Range -30oC to 85oC

? Industrail Temperature Range -40oC to 85oC

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS41LV16256-60KI

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全稱:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    256K x 16(4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
24+
NA/
1798
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售
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