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IS41C16256集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS41C16256
廠(chǎng)商型號(hào)

IS41C16256
參數(shù)屬性

IS41C16256 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線(xiàn)；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP
功能描述

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
封裝外殼

44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線(xiàn)
文件大小

153.38 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)
生產(chǎn)廠(chǎng)商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISSI【北京矽成】

中文名稱(chēng)

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
ISSI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-8-3 16:59:00
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IS41C16256規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

TheISSI IS41C16256 and IS41LV16256 are 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 and IS41LV16256 ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval: 512 cycles/8 ms

? Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply

5V ± 10 (IS41C16256)

3.3V ± 10 (IS41LV16256)

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Extended Temperature Range -30oC to 85oC

? Industrail Temperature Range -40oC to 85oC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS41C16256C-35TLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    DRAM - EDO

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線(xiàn)

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    40-TSOP

  • 描述：

    IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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