IS41C16100集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	IS41C16100
參數(shù)屬性	IS41C16100 封裝/外殼為42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
功能描述	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
封裝外殼	42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
文件大小	123.63 Kbytes
頁面數(shù)量	20 頁
生產(chǎn)廠商	Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱	ISSI【北京矽成】
中文名稱	北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時間	2025-8-4 19:00:00
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IS41C16100規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS41C16100 and IS41LV16100 are 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16100 ideal for use in 16-bit and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

? Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

— Self refresh Mode - 1,024 cycles / 128ms

? JEDEC standard pinout

? Single power supply:

— 5V ± 10 (IS41C16100)

— 3.3V ± 10 (IS41LV16100)

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Industrail Temperature Range -40oC to 85oC

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS41C16100C-50KLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術(shù)：
DRAM - EDO
存儲容量：
16Mb（1M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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