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IRW65R190CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
IRW65R190CFD |
功能描述 | Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor |
文件大小 |
6.53687 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
20 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | INFINEON |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-5 18:20:00 |
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IRW65R190CFD規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS? CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.
Applications
650V CoolMOS? CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server and Telecom.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MARVELL |
1738+ |
BGA |
8529 |
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詢價(jià) | ||
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IOR |
2025+ |
TO3P |
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原廠原裝 |
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2022+ |
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