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IRW65R190CFD中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRW65R190CFD
廠商型號(hào)

IRW65R190CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor

文件大小

6.53687 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

20 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 18:20:00

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IRW65R190CFD規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

CoolMOS? is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 650V CoolMOS? CFD2 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation.

Applications

650V CoolMOS? CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server and Telecom.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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