IRS21850S集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRS21850S |
| 參數(shù)屬性 | IRS21850S 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | Gate drive supply range from 10 V to 20 V |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
344.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 16:50:00 |
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IRS21850S規(guī)格書詳情
描述 Description
The IRS21850 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT single high-side driver with propagation delay matched output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The floating logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic and can be operated up to 600 V above the ground. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFETor IGBT in the high-side configuration, which operates up to 600 V.
IC Features
? Gate drive supply range from 10 V to 20 V
? Undervoltage lockout for VBS and VCC
? 3.3 V and 5 V input logic compatible
? Tolerant to negative transient voltage
? Matched propagation delays for all channels
? RoHS compliant
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRS21850STRPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置：
高端
- 通道類型：
單路
- 柵極類型：
IGBT，N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
4A，4A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
15ns，15ns
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
25+23+ |
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